理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、フッ化マグネシウム - MgF 2スパッタリングターゲット、直径3インチ x 厚さ0.25インチ、純度99.9パーセント、0.125インチOFHC銅バッキングプレートに金属結合
アイディアル・バキューム・プロダクツLLC.本製品は、直径3インチ×厚さ0.25インチの円形マグネトロンマグネシウム(MgF 2 )スパッタリングターゲットです。純度99.9%で、厚さ0.125インチのOFHC(無酸素高伝導性)銅バッキングプレートに金属接合されています。
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フッ化マグネシウム - MgF 2
フッ化マグネシウム(MgF 2 )は、優れた透過特性と耐久性により、光学用途で広く使用されている材料です。主な特性を以下にまとめます。
屈折率: ~1.38 (550 nm 時)、低屈折率材料になります。
透明範囲: MgF 2は、深紫外線 (~120 nm) から中赤外線 (~7 µm) まで透過する広い透過ウィンドウを備えているため、紫外線、可視光線、赤外線の用途に適しています。
光学コーティング: レンズ、フィルター、その他の光学部品の反射防止コーティングや多層光学コーティングによく使用されます。
耐久性: MgF 2は硬く、化学的に安定しており、環境劣化に耐性があり、過酷な条件での使用に適しています。
堆積方法: 通常は絶縁性のため、RF スパッタリングによって堆積されます。
MgF 2 は、広い光透過性と低い屈折率を備えているため、さまざまな光学システムで反射率を低減するのに最適です。
RFスパッタリングとDCスパッタリングの比較:純粋な金属酸化物は絶縁体であり、RFスパッタリングはターゲット表面への電荷の蓄積を防ぐ交流電界を発生させるため、RFスパッタリングはしばしば好まれる手法です。この交流電界は、DCスパッタリングでアーク放電を引き起こす可能性のある電荷の蓄積を低減します。
堆積速度:堆積速度の低下:RFスパッタリングでは、主に電界の交流特性により、DCスパッタリングに比べてプラズマへの電力伝達効率が低くなります。そのため、同等の電力条件下では、DCスパッタリングに比べて堆積速度が低下します。
対象材料:導電性ターゲット(反応性スパッタリングにおけるチタンなど)の場合、DCスパッタリングの方が堆積速度が速くなります。一方、純金属酸化物のような絶縁性ターゲットの場合は、RFスパッタリングを使用する必要があり、堆積速度は通常低くなります。
パワーレベル:電力を増加させると、RF スパッタリングと DC スパッタリングの両方で堆積速度を上げることができますが、導電性材料の場合は、堆積速度は依然として DC の方が高くなる傾向があります。
圧力とガス流量:ガス圧力とガス流量を最適化することで、RF と DC の異なる最適条件を適用し、より高い堆積速度を実現できます。

注記:誘電体ターゲット材料には、脆性や低熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性を持つため、金属またはエラストマー製のバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは熱伝導率が低いため、熱衝撃の影響を最も受けやすく、起動時および停止時に特別な電力上昇および下降手順が必要となる場合があります。