Bomba de vacío seca Edwards iXM 100 Semiconductores 200-230 VCA 50/60 Hz Trifásica.
El modelo Edwards iXM 100, número de pieza A561F6958, ha reemplazado al iGX100M, número de pieza A54612958. La Edwards iXM es una nueva gama de bombas secas diseñadas para la fabricación sostenible. Gracias a su eficiente mecanismo Roots, que utiliza muy poca energía, se ha desarrollado para reducir drásticamente la potencia de entrada a 1,3 kW, un 60 % menos que la generación anterior de bombas secas, lo que reduce el impacto ambiental y el coste total de propiedad. La tecnología de barrera de gas y las mejoras en el diseño térmico ofrecen una resistencia a la corrosión cuatro veces mayor que la de los productos de la serie iH. Las avanzadas funciones de manejo de polvo garantizan que la iXM ofrezca la máxima fiabilidad y una mayor vida útil de la bomba para procesos de grabado multicapa, además de un menor consumo energético para procesos CVD.
Las bombas de la serie Edwards iXM son compactas y ligeras, y gracias a su excepcional nivel de ruido y vibración, se convierten en la bomba seca más versátil de la gama Edwards. iXM transformará sus expectativas sobre la tecnología de bombas de vacío secas, ofreciendo beneficios reales y mayor tiempo de actividad con un impacto ambiental mínimo. Las bombas iXM están diseñadas para su uso en la mayoría de los procesos de semiconductores, con una reducción significativa del consumo energético. Para consultar el manual de instrucciones completo, visite la sección DESCARGAS.
CARACTERÍSTICAS Y BENEFICIOS:- Principalmente para aplicaciones químicas limpias o ligeramente agresivas (véase el espectro de aplicaciones a continuación).
- Velocidad máxima de bombeo: 200 m³/h⁻¹ (118 CFM)
- Presión máxima 1,5 x 10⁻² Torr
- Contiene únicamente la bomba principal.
- No requiere mantenimiento preventivo
- Conectores rápidos de 3/8 de pulgada para llenado de agua
- Mitades de acoplamiento para conexión de agua y energía
- Sistema de refrigeración por agua de acero inoxidable
- Módulo de gas Varimode
SOLICITUDES:- Bloqueo de carga
- Transferir
- Meteorología
- Litografía
- Proceso de deposición física de vapor (PVD)
- Prelimpieza mediante deposición física de vapor (PVD)
- Recocido térmico rápido (RTA)
- Despojo/Ceniza
- Aguafuerte
- Fuente del implante
- Deposición química en fase vapor por plasma de alta densidad (HDP CVD)
- Procesamiento térmico rápido (RTP)
- Deposición química de vapor subatmosférica (SACVD)
- Deposición química de vapor de tungsteno (WCVD)
- Deposición química en fase vapor modificada (MCVD)
- Deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD)
- Deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD)
